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NTD6416ANL, NVD6416ANL
40
30
T J = 25 ° C
10 V
4.5 V
40
30
V DS w 10 V
3.6 V
20
20
10
3.2 V
3.0 V
10
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
0
2.8 V
V GS = 2.4 V
1 2 3 4
5
0
0
T J = ? 55 ° C
1 2 3 4
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.11
0.1
0.09
0.08
I D = 19 A
T J = 25 ° C
0.080
0.075
0.070
0.065
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.060
0.07
0.055
0.06
2
4
6
8
10
0.050
2
6
10
14
18
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region versus Gate ? To ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Region versus Drain Current and
Gate ? To ? Source Voltage
3
2.5
V GS = 10 V
I D = 19 A
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
2
1.5
1
100
T J = 125 ° C
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
T J , JUNCTION TEMPERTURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drian ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
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